スマートフォンの普及やSNS・動画配信サービスの拡大等に牽引されIP トラフィックは高い成長率で増大しています。大容量通信方式として400GbEが広く普及し始めていますが、IEEE 802.3dj およびOIF 800ZR/1600ZRでは、さらなる高速化 200Gbps/レーンの方式を新たに検討しており、ますます光インターフェースの高速化が必要となってきています。このような高速信号でEML/LN-MZM光変調器などの光デバイス性能を検証するためには、140Gbaud PAM4のような高速且つ大振幅(1.5-2.0Vpp)な変調信号源が必要になっています。本アプリケーションノートでは、「光デバイスの評価構成と評価項目」から「光デバイスマージン評価」まで 実際のアプリケーションにそった使用例を 詳しく説明しています。
アプリケーションノート
タイトル | Revision |
AH15199B 140Gbaud広帯域リニアアンプを用いた高速光デバイス(EML, LN-MZM)評価 | 全11ページ Ver.1.00 2024年9月、1.5 MB |
目次
・概要
・インターフェース
・光デバイス評価構成と評価項目
-光変調振幅 (Outer OMA)
-TDECQ
-リニアリティ(RLM)
-EVM
・光デバイス マージン評価
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